熱処理装置、熱処理装置の制御方法、および基板の周縁測定箇所の決定方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-164888
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345275
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハ上の温度分布を考慮して半導体ウエハの熱処理を行う。【解決手段】処理室内に基板を配置して熱処理を行うための熱処理装置であって、加熱部と、基板の中央近傍に位置する中央測定箇所および基板の周縁近傍に位置する複数の周縁測定箇所の温度を測定する温度測定部と、中央測定箇所および複数の周縁測定箇所の温度に基づき、基板の代表温度を算出する代表温度算出部と、代表温度に基づいて前記加熱部を制御する制御部とを具備する熱処理装置を構成する。

請求項（抜粋）：

処理室内に基板を配置して熱処理を行うための熱処理装置であって、前記基板を基板周縁から加熱するための加熱部と、前記基板の中央近傍に位置する中央測定箇所および該基板の周縁近傍に位置する複数の周縁測定箇所の温度を測定する温度測定部と、前記温度測定部によって測定された前記中央測定箇所および前記複数の周縁測定箇所の温度に基づき、前記基板の代表温度を算出する代表温度算出部と、前記代表温度算出部によって算出された前記代表温度に基づいて、前記加熱部を制御する制御部とを具備することを特徴とする熱処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , F27D 19/00 , H01L 21/22 501 , H01L 21/22 511 , H01L 21/324

FI (5件)：

H01L 21/205 , F27D 19/00 A , H01L 21/22 501 N , H01L 21/22 511 Q , H01L 21/324 T

Fターム (13件)：

4K056AA09 , 4K056BA01 , 4K056BB03 , 4K056CA18 , 4K056FA04 , 4K056FA13 , 5F045AA03 , 5F045AA20 , 5F045BB02 , 5F045DP19 , 5F045EK06 , 5F045EK22 , 5F045GB05

引用特許：

出願人引用 (5件)

熱処理装置とその温度制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-080954 出願人：東京エレクトロン株式会社
CVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-300521 出願人：株式会社日立製作所
半導体ウエハ熱処理炉用の測温ウエハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-220057 出願人：川惣電機工業株式会社

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審査官引用 (5件)

熱処理装置とその温度制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-080954 出願人：東京エレクトロン株式会社
CVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-300521 出願人：株式会社日立製作所
半導体ウエハ熱処理炉用の測温ウエハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-220057 出願人：川惣電機工業株式会社

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