特許
J-GLOBAL ID：200903072830797455

基板処理方法及び半導体製造装置

発明者：
杉下 雅士

杉下 雅士 について

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上野 正昭

上野 正昭 について

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林田 晃

林田 晃 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (1件)： 特許業務法人アイ・ピー・エス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-231252
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205426
出願日： 2007年09月06日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】基板に形成する膜の厚さの均一性を制御することができる半導体製造装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理方法は、反応管1014をヒータ1052で加熱しつつ、排気部1080に冷却ガス排気装置1084により冷却ガスを流し、排気部1080の圧力値に基づいて、制御部1200によりヒータ1052と冷却ガス排気装置1084とを制御してウエハ1400を処理する工程と、ウエハ1400の周縁部の温度を検出する第1の熱電対1062の測定値と、ウエハ1400の中心部の温度を検出する中心部熱電対1068の測定値を取得して両測定値の偏差を求め、ウエハ1400の処理を行う前に、予め記憶された偏差と両測定値の偏差とを比較し、前記予め記憶された偏差と両測定値の偏差とが異なる場合には、反応管1014における圧力値を補正する工程とを有する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
基板の周縁部の状態を検出する第1検出部の測定値と、基板の中心部の状態を検出する第2検出部の測定値とを取得して、前記第1検出部の測定値と前記第2検出部の測定値との第1の偏差を求め、予め記憶された前記第1検出部の測定値と前記第2検出部の測定値との第2の偏差と、前記第1検出部の測定値と前記第2検出部の測定値との前記第1の偏差とを比較し、前記第2の偏差と、前記第1の偏差が異なる場合には、前記第1の偏差に基づいて、基板を処理する処理室と加熱装置との間に設けられた冷却ガス流路における圧力値の圧力補正値を算出し、該圧力補正値により前記圧力値を補正する工程と、 前記処理室を前記加熱装置で加熱しつつ、前記冷却ガス流路内に冷却装置により冷却ガスを流し、前記補正後の圧力値に基づいて、制御部により前記加熱装置及び前記冷却装置を制御して基板を処理する工程と、 を有することを特徴とする基板処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/22 ,  C23C 16/52
FI (5件)：
H01L21/31 E ,  H01L21/22 511Q ,  H01L21/22 511A ,  H01L21/22 511S ,  C23C16/52
Fターム (23件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030JA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045BB02 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC02 ,  5F045EJ10 ,  5F045EK06
引用特許：
出願人引用 (10件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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