半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：矢野敏雄 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-539567
公開番号（公開出願番号）：特表2008-519448
出願日： 2005年10月21日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：

本発明は半導体デバイスおよびその製造方法に関する。本発明の半導体デバイスはPNダイオードの組み込まれたトレンチジャンクションバリア型ショットキーダイオードである。

請求項（抜粋）：

PNダイオードの組み込まれたトレンチジャンクションバリア型ショットキーダイオードを含むことを特徴とする半導体デバイス(30,40,50,60,70)。

IPC (4件)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/861 , H01L 29/866

FI (3件)：

H01L29/48 F , H01L29/91 D , H01L29/90 D

Fターム (8件)：

4M104BB01 , 4M104BB39 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104FF35 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭61-147570
ショットキーダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-242831 出願人：株式会社日立製作所
特開平3-105975

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