特許
J-GLOBAL ID：200903043836174530

電子線描画用デ-タの処理方法、電子線露光用マスク及び記録媒体

発明者：
田村 貴央

田村 貴央 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-010663
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208409
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 回路パターンを全て図形一括描画の方式で描画し、寸法安定性の高い電子線描画用データの処理方法、電子線露光用マスク及び記録媒体を提供する。【解決手段】 電子線によって半導体ウェハ上に所望の回路パターンを形成するための電子線露光装置で用いられる電子線露光用マスクに、回路パターンに対応する開口パターンを形成するための電子線描画用データの処理方法であって、回路パターンを形成する設計データを、各配線の線幅情報を持つ可変成形用データに変換し、予め決められた所定線幅の配線を抽出し、対応する開口パターンを持つ電子線露光用マスクを作成するための図形一括描画データの処理方法と、それに基づいて作成した電子線露光用マスクを生成する電子線描画用データを処理するためのプログラムが記録された記録媒体である。
請求項（抜粋）：
電子線によって半導体ウェハ上に所望の回路パターンを形成するための電子線露光装置で用いられる電子線露光用マスクに、前記回路パターンに対応する開口パターンを形成するための電子線描画用データの処理方法であって、前記回路パターンを形成するための設計データを、各配線の線幅の情報を持つ可変成形用データに変換し、前記可変成形用データから、予め決められた所定線幅の配線を抽出し、該抽出した配線の線幅に対応する開口パターンを持ち、所定の領域毎に一括して露光するための電子線露光用マスクを作成するためのEBマスク用データを生成すると共に、半導体ウエハ上の所望の位置に抽出した配線の線幅に対応するパターンを露光するための図形一括描画用データを生成する電子線描画用データの処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504
FI (2件)：
H01L 21/30 541 S ,  G03F 7/20 504
Fターム (8件)：
2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5F056AA04 ,  5F056AA06 ,  5F056AA22 ,  5F056CA05 ,  5F056CA21 ,  5F056EA04
引用特許：
審査官引用 (6件)
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