有機半導体膜を有する半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-319244
公開番号（公開出願番号）：特開2007-129007
出願日： 2005年11月02日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：

【課題】有機半導体層を用いた半導体装置では、各電極の位置合わせとコストの両観点を両立する製造方法が無かった。印刷法では位置ずれが生じるため、絶縁膜を介して下部電極と上部電極が良く位置合せされた電極基板を形成できなかった。位置合わせのためにフォトマスクを使用すると、飛躍的にコストが向上した。【解決手段】本発明は、下部電極と、上部電極との位置あわせを自己整合的に行ない、印刷法を用いても位置ずれが発生しない。この為、有機半導体を用いたフレキシブル基板などの半導体装置が印刷法を用いて安価に形成できる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

不透光性ゲート電極とこの上部にゲート絶縁膜とを少なくとも有する透光性基板を準備する工程、前記準備された透光性基板に、ソース電極及びドレイン電極用導電層として、金属のナノ微粒子を含有する層を形成する工程、前記透光性基板の前記不透光性ゲート電極が搭載されない面側より、露光する工程、前記露光後、前記金属のナノ微粒子を含有する層における、前記ソース電極及びドレイン電極以外の部分を洗い流す工程、チャネル部を形成する有機半導体層を形成する工程、を有することを特徴とする有機半導体膜を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28

FI (7件)：

H01L29/78 616K , H01L29/78 616N , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 617J , H01L29/78 617V , H01L21/28 301B

Fターム (50件)：

4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD51 , 4M104DD64 , 4M104DD79 , 4M104DD86 , 4M104DD89 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 5F110AA02 , 5F110AA04 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE24 , 5F110EE34 , 5F110EE37 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HM19 , 5F110QQ06 , 5F110QQ11 , 5F110QQ12

引用特許：

出願人引用 (3件)

有機薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに有機薄膜トランジスタを有する半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-284511 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-358215 出願人：株式会社東芝
光固定された微粒子を触媒とする無電解メッキ法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-204408 出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (7件)

有機薄膜トランジスタの製造方法及び、それにより製造された有機薄膜トランジスタと有機薄膜トランジスタシート
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-131224 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
電子機器、半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-018883 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
パターン形成方法、薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-076640 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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