パターン形成方法、薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-076640
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303283
出願日： 2005年03月17日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。【解決手段】本発明のパターン形成方法の一は、透光性を有する基板上にマスクを形成し、前記基板及びマスク上に、光吸収体を含む物質を有する第1の領域を形成し、前記光吸収体が吸収する波長の光を、前記基板を通過させて、前記物質に照射して、前記物質表面の一部を改質し第2の領域を形成し、前記第2の領域にパターン形成材料を含む組成物を吐出し、パターンを形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透光性を有する基板上にマスクを形成し、前記基板及びマスク上に、光吸収体を含む物質を有する第1の領域を形成し、前記光吸収体が吸収する波長の光を、前記基板を通過させて、前記物質に照射して、前記物質表面の一部を改質し第2の領域を形成し、前記第2の領域にパターン形成材料を含む組成物を吐出し、パターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (7件)：

H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786 , H05B33/10 , H05B33/14

FI (8件)：

H01L21/88 B , H01L21/28 A , H01L21/288 Z , H05B33/10 , H05B33/14 A , H01L29/78 612D , H01L29/78 616K , H01L29/78 617J

Fターム (132件)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007GA00 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104DD22 , 4M104DD77 , 4M104DD78 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F033GG04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH10 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH31 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH35 , 5F033HH38 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033PP26 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ00 , 5F033QQ48 , 5F033QQ52 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033QQ83 , 5F033QQ85 , 5F033QQ99 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX33 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE37 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110EE47 , 5F110EE48 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK41 , 5F110HM19 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP06 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ04 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体層への不純物の導入方法、および薄膜トランジスタ並びに半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-052460 出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (12件)

基板表面の平坦化方法、平坦化基板の製造方法、液晶表示装置および有機エレクトロルミネセンス素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-141912 出願人：日本電気株式会社
電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-277118 出願人：コニカ株式会社
画像形成装置、画像形成方法、およびパターン形成方法、ならびにそれらに用いる感光体
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-065687 出願人：株式会社東芝

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