特許
J-GLOBAL ID：200903043884010515

薄膜トランジスタの製造方法およびレーザアニール装置

発明者：
西谷 輝

西谷 輝 について

, 
山本 睦

山本 睦 について

, 
西谷 幹彦

西谷 幹彦 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-348245
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174286
出願日： 1998年12月08日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 高性能TFTの製造時、結晶化のレーザ光の照射エネルギー密度や照射回数が、TFTの特性に大きな影響を及ぼすため、分布なく、安定して高性能TFTアレイを製造することが困難であった。また、結晶化の前駆体である非晶質半導体膜の膜厚や膜質によっても、レーザ光の照射条件が異なってくるため、安定して高い特性の結晶質半導体膜を形成することが困難であった。さらには、結晶質半導体膜の特性のバラツキにより、必要な特性のTFTを安定して製造することが出来ず、高い歩留りが得られなかった。【解決手段】 上記課題を解決するために、結晶化工程後の検査に電子線回折、X線回折、ラマン散乱の手法を用い、早期に特性の低い結晶質半導体膜を判定できるよう改善した。
請求項（抜粋）：
少なくとも、基板上に非晶質半導体膜を成膜する工程と、非晶質半導体膜を結晶質半導体膜に結晶化させる工程を有し、電子線回折法を利用した結晶質半導体膜の検査を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/66
FI (5件)：
H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/66 C ,  H01L 29/78 624
Fターム (57件)：
2H092JA24 ,  2H092JA37 ,  2H092KA02 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  4M106AA10 ,  4M106AB01 ,  4M106BA02 ,  4M106BA05 ,  4M106BA20 ,  4M106CB17 ,  4M106DH11 ,  4M106DH32 ,  4M106DH33 ,  4M106DH34 ,  5F052AA02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052JA01 ,  5F052JA10 ,  5F110AA19 ,  5F110AA24 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ18 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ21
引用特許：
審査官引用 (10件)
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