特許
J-GLOBAL ID：200903043898356104
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-336415
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172364
出願日： 2002年11月20日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】プラズマダイシング、マスク除去およびマイクロクラック除去を同一装置によって連続的に行うことができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置を、処理室2内の圧力を制御する圧力制御手段と、処理室2内に複数種類のプラズマ発生用ガスを選択的に供給するプラズマ発生用ガス供給部1,22,23と、電極間距離を変更する電極間距離変更手段とを備えた構成とし、ガス種類、圧力、電極間距離を含むプラズマ処理条件を処理目的に応じて切り換えることにより、プラズマダイシング工程と、マスク除去工程と、マイクロクラック除去の各工程を、連続して効率よく行うことができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成された第1の面に保護シートが貼り付けられ、前記第1の面の反対側の第2の面に前記半導体素子の個片毎に分割するための切断線を定めるマスクが形成された半導体ウェハを対象としてプラズマ処理を行うことにより、プラズマダイシング、マスク除去、マイクロクラック除去の各工程を行うプラズマ処理装置であって、
処理室と、前記処理室内において前記保護シートに密着する平面を備えた第1の電極と、前記処理室内において前記第1の電極に対して対向配置された第2の電極と、前記平面に前記保護シートを密着させた状態で半導体ウェハを前記第1の電極に保持させる保持手段と、前記処理室内を所望の圧力に減圧する減圧手段と、前記処理室内に複数種類のプラズマ発生用ガスを選択的に供給するプラズマ発生用ガス供給手段と、プラズマ発生用ガスが供給された状態における処理室内の圧力を制御する圧力制御手段と、前記第1の電極に高周波電圧を印加して前記処理室内に供給されたプラズマ発生用ガスをプラズマ状態に移行させる高周波電源部と、前記第1の電極と第2の電極との電極間距離を変更する電極間距離変更手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/78 Q
, H01L21/304 645C
