特許
J-GLOBAL ID：200903043918454329
化学機械研磨のための現場終点検出及びプロセス監視の方法並びに装置
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-585991
公開番号（公開出願番号）：特表2003-534649
出願日： 2001年05月18日
公開日（公表日）： 2003年11月18日
要約：
【要約】化学機械研磨装置は、研磨パッド(30)と、研磨面の第1の側に当接して基板(10)を保持するためのキャリア(70)と、研磨パッド(30)及びキャリヤヘッド(70)の少なくとも一方に接続されて両者間に相対運動を生じさせるモータとを備えている。渦電流監視システム(40)は、基板(10)の近くに交番磁界を発生させるように位置決めされており、光学監視システム(140)は、光ビームを発生して基板(10)からの該光ビームの反射光を検出し、コントローラ(90)は、渦電流監視システム(40)及び光学監視システム(140)からの信号を受信する。
請求項（抜粋）：
基板における導体膜を監視するためのセンサであって、 前記基板に近接して位置決め可能の磁心と、 該磁心の第1部分に巻回された第1コイルと、 該第1コイルに電気的に結合されて前記第1コイルに交流を誘導すると共に前記基板に近接して交番磁界を発生させる発振器と、 前記磁心の第2部分に巻回された第2コイルと、 該第2コイルに電気的に結合されたキャパシタと、 前記第2コイル及び前記キャパシタに電気的に結合されて出力信号を発生する増幅器と、を備えるセンサ。
IPC (5件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/304 621
, B24B 37/04
, B24B 49/02
, G01B 7/06
H01L 21/304 622 S
, H01L 21/304 621 D
, B24B 37/04 K
, B24B 49/02 Z
, G01B 7/10 Z
2F063AA16
, 2F063BA26
, 2F063GA08
, 2F063LA05
, 2F063NA07
, 3C034AA19
, 3C034BB92
, 3C034CA02
, 3C034CB01
, 3C034DD10
, 3C058AA07
, 3C058AC02
, 3C058CB01
, 3C058CB03
, 3C058DA17
