W系膜の成膜方法およびW系膜

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-019309
公開番号（公開出願番号）：特開2004-231995
出願日： 2003年01月28日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】下地の膜質に悪影響を与えることなく、かつ膜質を低下させることなくWNを含むW系膜を成膜することができるW系膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】被処理基板1上にW(CO)6ガスを用いたCVDによりW膜2を成膜し(工程1)、そのようにして成膜したW膜2の一部または全部をN2ガスを含むプラズマで窒化してWN膜3とし(工程2)、W系膜を得る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理基板上にW(CO)6ガスを用いたCVDによりW膜を成膜する工程と、前記W膜の一部または全部をN2ガスを含むプラズマで窒化する工程とを具備することを特徴とするW系膜の成膜方法。

IPC (6件)：

C23C8/36 , C23C16/16 , C23C16/56 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205

FI (6件)：

C23C8/36 , C23C16/16 , C23C16/56 , H01L21/28 301R , H01L21/285 C , H01L21/88 R

Fターム (39件)：

4K028BA02 , 4K028BA11 , 4K028BA21 , 4K030AA12 , 4K030BA20 , 4K030CA04 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 4M104BB18 , 4M104BB33 , 4M104CC05 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104DD86 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH34 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ34 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP03 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ90 , 5F033QQ98 , 5F033VV06 , 5F033WW03

引用特許：

審査官引用 (6件)

バリアメタル、その形成方法、ゲート電極及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-207198 出願人：東京エレクトロン株式会社
W(CO)6からのタングステン膜の堆積方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-266507 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
表面処理方法及び表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-374359 出願人：株式会社日立製作所

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