特許
J-GLOBAL ID：200903044070925888

W系膜の成膜方法およびW系膜

発明者：
波多野 達夫

波多野 達夫 について

, 
立花 光博

立花 光博 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-019309
公開番号（公開出願番号）：特開2004-231995
出願日： 2003年01月28日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】下地の膜質に悪影響を与えることなく、かつ膜質を低下させることなくWNを含むW系膜を成膜することができるW系膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】被処理基板1上にW(CO)6ガスを用いたCVDによりW膜2を成膜し(工程1)、そのようにして成膜したW膜2の一部または全部をN2ガスを含むプラズマで窒化してWN膜3とし(工程2)、W系膜を得る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被処理基板上にW(CO)6ガスを用いたCVDによりW膜を成膜する工程と、 前記W膜の一部または全部をN2ガスを含むプラズマで窒化する工程と を具備することを特徴とするW系膜の成膜方法。
IPC (6件)：
C23C8/36 ,  C23C16/16 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205
FI (6件)：
C23C8/36 ,  C23C16/16 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C ,  H01L21/88 R
Fターム (39件)：
4K028BA02 ,  4K028BA11 ,  4K028BA21 ,  4K030AA12 ,  4K030BA20 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB18 ,  4M104BB33 ,  4M104CC05 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD86 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ34 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ98 ,  5F033VV06 ,  5F033WW03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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