特許
J-GLOBAL ID：200903021473612820
バリアメタル、その形成方法、ゲート電極及びその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-207198
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195621
出願日： 1998年07月07日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 金属銅膜や金属タングステン膜に対して有効なバリアメタルを提供する。【解決手段】 半導体集積装置のバリアメタル14として、WNx或いはWSiNxを用いる。これにより、金属銅膜や金属タングステン膜に対して有効にバリア機能を発揮させる。
請求項（抜粋）：
半導体集積装置のバリアメタルとして、WNx或いはWSiNxを用いたことを特徴とするバリアメタル。
IPC (4件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/285
, H01L 21/3205
, H01L 29/78
H01L 21/285 301 R
, H01L 21/285 C
, H01L 21/88 M
, H01L 29/78 301 G
