特許
J-GLOBAL ID:200903044097625517
半導体発光素子及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三好 秀和 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-016275
公開番号(公開出願番号):特開2003-298107
出願日: 2003年01月24日
公開日(公表日): 2003年10月17日
要約:
【要約】【課題】 低コストで信頼性が高く、且つ高輝度化を向上させた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 発光層42と、発光層に略平行な矩形状の第1の主面15と、第1の主面15に発光層42を挟んで対向する矩形状の第2の主面10と、第1の主面15及び第2の主面10の間に配置され、粗面からなる第1〜第4の側面11〜14とを備える。
請求項(抜粋):
発光層と、前記発光層に略平行な矩形状の第1の主面と、前記第1の主面に前記発光層を挟んで対向する矩形状の第2の主面と、前記第1の主面及び前記第2の主面の間に配置され、粗面からなる第1〜第4の側面とを備えることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件):
H01L 33/00
, H01L 21/301
, H01L 21/306
FI (3件):
H01L 33/00 A
, H01L 21/78 R
, H01L 21/306 B
Fターム (14件):
5F041AA04
, 5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA37
, 5F041CA38
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F043AA03
, 5F043AA14
, 5F043BB07
, 5F043FF10
, 5F043GG10
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)