特許
J-GLOBAL ID：200903044103659089

光半導体装置の製造方法

発明者：
浅香 航太

浅香 航太 について

, 
竹内 博昭

竹内 博昭 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-064443
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270947
出願日： 2001年03月08日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】光半導体素子とハイメサ導波路の間にスラブ導波路が形成されず、サイドエッチやオーバーエッチングにより光結合面が窪んだ形状とならないようにする。【解決手段】半導体基板1上の第1の領域Aに形成されハイメサ構造を有する導波路5と、前記基板1の第2の領域Bに形成され埋め込み構造10を有する光半導体素子がバットジョイント接合された光半導体装置を製造する方法において、第2の領域Bに形成されたメサストライプ構造を第1のマスク9を用いて保護し、選択結晶成長法により前記第1のマスク9以外の部分に埋め込み層を形成する工程と、第1の領域Aに形成するハイメサ導波路構造のメサ幅W1よりも幅広の凸部を有する第2のマスクを用いて第2の領域Bだけでなく、第1の領域Aに至る部分を保護し、前記選択結晶成長法により第1の領域Aの上部に乗り上げ成長された埋め込み層11を選択性ウェットエッチングにより除去する工程を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の第1の領域に形成されハイメサ構造を有する導波路と、前記基板の第2の領域に形成され埋め込み構造を有する光半導体素子がバットジョイント接合された光半導体装置を製造する方法において、第2の領域に形成されたメサストライプ構造を第1のマスクを用いて保護し、選択結晶成長法により前記第1のマスク以外の部分に埋め込み層を形成する工程と、第1の領域に形成するハイメサ導波路構造のメサ幅よりも幅広の凸部を有する第2のマスクを用いて第2の領域だけでなく、第1の領域に至る部分を保護し、前記選択結晶成長法により第1の領域の上部に乗り上げ成長された埋め込み層を選択性ウェットエッチングにより除去する工程を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 5/026 618 ,  G02B 6/13 ,  G02B 6/122
FI (3件)：
H01S 5/026 618 ,  G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 B
Fターム (17件)：
2H047KA05 ,  2H047MA07 ,  2H047PA06 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047QA02 ,  2H047TA35 ,  5F073AA26 ,  5F073AA89 ,  5F073AB12 ,  5F073BA01 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25
引用特許：
出願人引用 (10件)
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