特許
J-GLOBAL ID:200903044188367944

半導体パワーモジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-368629
公開番号(公開出願番号):特開2006-179538
出願日: 2004年12月21日
公開日(公表日): 2006年07月06日
要約:
【課題】 樹脂封止半導体パワーモジュールのハンダ接続部の熱疲労寿命と耐湿性とを、同時に向上させる。【解決手段】 本願発明の半導体パワーモジュールは、セラミックス絶縁基板もしくは、樹脂絶縁金属基板に熱拡散板を介してハンダ付けしたシリコンチップと接続導線とを、まず耐熱性、耐湿性に優れるポリイミド系樹脂でプリコートし、次に、低いヤング率で、ハンダの線膨張係数に合わせた線膨張係数のエポキシ系樹脂で前記プリコート樹脂の上を被覆し、封止する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
セラミックス絶縁基板の一方の面に配置した電極に、メタライズされたSi半導体チップ裏面をハンダ付けし、該セラミックス絶縁基板上の他方の面をベース基板にハンダ付けした半導体パワーモジュールにおいて、 該半導体パワーモジュールが、前記Si半導体チップ表面と前記セラミックス絶縁基板の他の電極とを接続する接続導体と、前記Si半導体チップと前記セラミックス絶縁基板の一方の面とを被覆する第1の樹脂と、該第1の樹脂を被覆する第2の樹脂とによって、封止されていて、 前記第1の樹脂のヤング率が前記第2の樹脂のヤング率より小さく、 前記第2の樹脂は、ヤング率が3GPa〜20GPaであって、その線膨張係数が10×10-6/°C〜40×10-6/°Cであるエポキシ系樹脂であって、 前記第2の樹脂を、ポッティング若しくはトランスファモールドで封止したことを特徴とする半導体パワーモジュール。
IPC (2件):
H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (1件):
H01L23/30 B
Fターム (7件):
4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109CA10 ,  4M109DB01 ,  4M109DB15 ,  4M109EC04 ,  4M109EE02
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (10件)
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