特許
J-GLOBAL ID：200903044278263340
半導体装置およびその作製方法および電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-232607
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064817
出願日： 1996年08月13日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【目的】 SOI構造を有する半導体装置を得る。【構成】 単結晶シリコン基板101中に酸素イオンを注入する。また、Ni元素を導入する。そして加熱処理により酸化珪素層105を形成すると同時に単結晶シリコン層106を得る。さらにハロゲン元素を含んだ酸化性雰囲気中において加熱処理を行い、熱酸化層107を得る。Ni元素を利用することにより、単結晶シリコン層106の形成と該層と酸化珪素層104との界面に形成される欠陥の補償を行う。また熱酸化層107の形成時にニッケル元素を熱酸化層中にゲッタリングする。そして熱酸化層107を除去することにより、ニッケル元素を実用上問題の無い濃度とすることができる。
請求項（抜粋）：
結晶シリコン基板中に形成された酸化珪素層と、該酸化珪素層上に形成された単結晶シリコン層と、を有した半導体装置の作製方法であって、前記単結晶シリコン層の形成に際して、意図的にニッケル元素を前記シリコン基板中に添加する工程と、前記ニッケル元素を意図的に除去する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, H01L 21/265
, H01L 21/322
, H01L 21/76
, H01L 27/12
H01L 21/20
, H01L 21/322 Q
, H01L 27/12 E
, H01L 21/265 J
, H01L 21/76 R
