発光ダイオード及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山崎宏 , 前田厚司 , 仲倉幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-148666
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356137
出願日： 2003年05月27日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】ヒロックの発生を抑えることにより、発光光度が高く、かつ、表面欠陥の少ない発光ダイオードを提供する。【解決手段】本発明の発光ダイオードは、GaAsを基板とし、その上にGaAsと格子整合するAlGaInP系の材料からなる下部クラッド層、活性層、上部クラッド層を有し,さらに電流拡散層を有する表面出射型の半導体発光素子であって,該電流拡散層がAlGaInAsで形成されていることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

AlGaInP系の発光部を有する発光ダイオードにおいて、上記発光部の光射出側にIn(インジウム)を含有する電流拡散層を備えていることを特徴とする発光ダイオード。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 B

Fターム (7件)：

5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA38 , 5F041CA46 , 5F041CA58 , 5F041CB03

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-366785 出願人：株式会社東芝
半導体発光素子および製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-078538 出願人：シャープ株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-222143 出願人：シャープ株式会社

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