特許
J-GLOBAL ID：200903056981704054

半導体発光素子

発明者：
細羽 弘之

細羽 弘之 について

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中津 弘志

中津 弘志 について

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佐々木 和明

佐々木 和明 について

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中村 淳一

中村 淳一 について

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倉橋 孝尚

倉橋 孝尚 について

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村上 哲朗

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出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-222143
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058908
出願日： 1998年08月05日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 発光効率及び信頼性が大きく改善されていると共に製造歩留まりが大幅に改善された半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体発光素子が、第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の上に形成された、少なくとも第1導電型のクラッド層、活性層、及び第2導電型のクラッド層を含む発光部と、該発光部の上に形成された所定のパターンを有する第1導電型の電流阻止層と、該電流阻止層を覆うように形成された第2導電型の電流拡散層と、該基板の裏面及び該電流拡散層の上にそれぞれ形成された、第1導電型の第1電極及び第2導電型の第2電極と、を備えており、該電流阻止層がGa<SB>1-x</SB>In<SB>x</SB>P(0<x<1)層である。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の上に形成された、少なくとも第1導電型のクラッド層、活性層、及び第2導電型のクラッド層を含む発光部と、該発光部の上に形成された所定のパターンを有する第1導電型の電流阻止層と、該電流阻止層を覆うように形成された第2導電型の電流拡散層と、該基板の裏面及び該電流拡散層の上にそれぞれ形成された、第1導電型の第1電極及び第2導電型の第2電極と、を備えており、該電流阻止層がGa<SB>1-x</SB>In<SB>x</SB>P(0<x<1)層である、半導体発光素子。
Fターム (7件)：
5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA60 ,  5F041CB03
引用特許：
審査官引用 (14件)
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