特許

J-GLOBAL ID：200903044450591273

半導体デバイスにおけるレベル内またはレベル間誘電体としての超低誘電率材料を製造するための改良した方法およびこれによって作成される電子デバイス

発明者： ゲイツ、ステファン、エム ,  グリル、アルフレッド ,  メディルシュ、デヴィッド、アール ,  ノイマイアー、デボラ ,  グエン、ソン、ヴァン ,  パーテル、ヴィシュヌブハイ、ブイ ,  ワン、シンフイ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (4件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏 ,  坂口 博
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-511362
公開番号（公開出願番号）：特表2007-536733
出願日： 2005年03月23日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】 誘電率が低く、熱安定性を有する誘電材料を提供する。 【解決手段】 プラズマ化学気相成長(PECVD)プロセスを利用して、平行板化学気相成長プロセスにおいて、Si、C、O、およびH原子を含む熱的に安定した超低誘電率膜を製造するための方法を開示する。更に、この方法によって作成された熱的に安定した超低誘電率材料の絶縁層を含む電子デバイスを開示する。熱的に安定した超低誘電率膜の製造を可能とするため、例えばジエトキシメチルシラン(DEMS)のようなシラン誘導体、および、例えばビシクロヘプタジエンおよび酸化シクロペンテンのような有機分子等、特定の前駆物質材料を用いる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

超低誘電率膜を製造するための方法であって、 分子式SiRR’R’ ’R ’ ’ ’を有する第1の前駆ガスを、プラズマ化学気相成長(PECVD)リアクタのチャンバ内に流すステップであって、R、R’、R’ 、’R ’ ’ ’は、同一であるかまたは互いに異なり、H、アルキル、およびアルコキシのいずれかである、ステップと、 以下の式の1つを有する第2の前駆ガスを前記チャンバ内に流すステップであって、

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  C23C 16/42

FI (4件)：

H01L21/312 M ,  H01L21/90 S ,  H01L21/90 P ,  C23C16/42

Fターム (66件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BA48 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030DA09 ,  4K030FA03 ,  4K030GA01 ,  4K030JA03 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030KA08 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH26 ,  5F033HH28 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK04 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033WW09 ,  5F033XX19 ,  5F033XX24 ,  5F058AD05 ,  5F058AD09 ,  5F058AF01 ,  5F058AH02

引用特許：

出願人引用 (13件)

• 米国特許第6,312,793号
  
• 米国特許第6,441,491号
  
• 米国特許第6,541,398号
  
• 米国特許第6,479,110B2号
  
• 米国特許第6,437,443号
  
• ポロゲン、ポロゲン化された前駆体および低誘電率をもつ多孔質有機シリカガラス膜を得るためにそれらを使用する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-113408   出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264225   出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
• 電子ビームによって低誘電率膜を硬化する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-503689   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体素子のレベル内またはレベル間誘電体としての超低誘電率材料、その製造方法、およびそれを含む電子デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-544765   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 半導体デバイスの層内または層間誘電体としての超低誘電率材料
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-515873   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 特許第6312793号
  
• 低誘電率有機ケイ酸塩ガラス膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-162174   出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
• 多相低誘電率材料およびその堆積方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-516830   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

審査官引用 (2件)

• ポロゲン、ポロゲン化された前駆体および低誘電率をもつ多孔質有機シリカガラス膜を得るためにそれらを使用する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-113408   出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264225   出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所