電子ビームによって低誘電率膜を硬化する方法

発明者： , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：長谷川芳樹 , 山田行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-503689
公開番号（公開出願番号）：特表2005-524983
出願日： 2003年05月08日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

基板上に低誘電率膜を堆積させる方法。本方法には、ケイ素、炭素、酸素、水素を含んでいる低誘電率膜を化学気相堆積チャンバ内で堆積させるステップが含まれている。本方法には、更に、低誘電率膜を低誘電率膜の硬度を上げるのに十分な条件で電子ビームに晒すステップが含まれている。

請求項（抜粋）：

低誘電率膜を基板上に堆積させる方法であって、ケイ素、炭素、酸素、水素を含んでいる低誘電率膜を化学気相堆積チャンバ内で堆積させるステップと、該低誘電率膜を該低誘電率膜の硬度を上げるのに十分な条件で電子ビームに晒すステップと、を含む、前記方法。

IPC (4件)：

H01L21/316 , C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/768

FI (4件)：

H01L21/316 P , C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/90 J

Fターム (37件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030FA03 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA12 , 4K030JA16 , 4K030JA18 , 5F033QQ54 , 5F033QQ81 , 5F033RR01 , 5F033SS01 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033WW00 , 5F033WW06 , 5F033WW07 , 5F033WW08 , 5F033WW09 , 5F033XX24 , 5F058AC03 , 5F058AF01 , 5F058AG10 , 5F058AH02 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BH20 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭59-124729
マイクロエレクトロニクス構造体用電子ビーム加工膜
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-503125 出願人：アライドシグナル・インコーポレーテッド
CVD蒸着膜の電子ビーム改質による低誘電率材料の形成
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-560432 出願人：エレクトロンビジョンコーポレーション

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