特許
J-GLOBAL ID:200903044707087520

半導体パッケージ及び積層型半導体パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-335855
公開番号(公開出願番号):特開2004-172323
出願日: 2002年11月20日
公開日(公表日): 2004年06月17日
要約:
【課題】半導体パッケージの外形寸法及び再配線の設計自由度を半導体デバイスに依存しないものとし、3次元実装化を容易にする半導体パッケージ及び3次元積層型半導体パッケージを提供する。【解決手段】半導体デバイスチップ6と、熱可塑性の絶縁樹脂層4を有する可撓性基板101からなる。可撓性基板101に設けられた電極が半導体デバイスチップ6の所定の電極に接続されると共に、熱可塑性絶縁樹脂層4により封止され、かつ、前記可撓性基板101が折り曲げられて、電極の形成面とその他の面に電極が設けられる。この可撓性基板101は配線3が多層化され、可撓性基板101の折り曲げ部分又は折り曲げ部分を含む領域に溝を形成するか、又は配線層数が異なる薄層部を形成し、半導体デバイス実装部にキャビティを形成する。可撓性基板101を所定の位置で折り曲げて半導体デバイスの外形寸法に寄らない半導体パッケージを形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
回路面上に1又は複数の電極が形成された半導体デバイスと、配線パターンの片面又は両面に熱可塑性の絶縁層を有する可撓性基板とを有し、前記可撓性基板に設けられた電極が前記半導体デバイスの所定の電極に接続されると共に前記熱可塑性絶縁層により封止され、前記可撓性基板が折り曲げられて、前記電極の形成面とその他の面に電極を設けることを可能にする半導体パッケージにおいて、前記可撓性基板には少なくとも2層以上の回路パターンが形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (4件):
H01L25/065 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (2件):
H01L25/08 Z ,  H01L23/12 501B
引用特許:
審査官引用 (8件)
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