不揮発性メモリセルアレイ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-139388
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326684
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】データの書き込みや消去を確実に実行することができ、更には、高速・低動作電圧で動作し得る不揮発性メモリセルアレイを提供する。【構成】不揮発性メモリセルアレイは、ドレイン領域30A及びソース領域30B、第1の導電ゲートG1を備えた第1の積層構造体TR1(メモリトランジスタ)、並びに、第2の導電ゲートG2を備えた第2の積層構造体TR2(選択トランジスタ)から構成された複数のメモリセルから成り、ソース・ドレイン方向(X方向)に交差する方向(Y方向)に隣接するメモリセルのドレイン領域30A及びソース領域30Bのそれぞれは連続しており、且つ、X方向に隣接するメモリセルのソース領域30B及びドレイン領域30Aと共通領域であり、各メモリセルの第1の導電ゲートG1はX方向に接続され、各メモリセルの第2の導電ゲートG2はY方向に接続されている。

請求項（抜粋）：

(A)ドレイン/ソース領域及びソース/ドレイン領域と、(B)該ドレイン/ソース領域とソース/ドレイン領域とで挟まれた半導体チャネル形成領域と、(C)該半導体チャネル形成領域上に形成された、電荷蓄積層を含む第1の絶縁膜及び第1の導電ゲートから成る第1の積層構造体、並びに、第2の絶縁膜及び第2の導電ゲートから成る第2の積層構造体、から構成された不揮発性メモリセルが、複数個、ソース・ドレイン方向及びそれに交差する方向に配置されて成り、ソース・ドレイン方向に交差する方向に隣接する不揮発性メモリセルのドレイン/ソース領域及びソース/ドレイン領域のそれぞれは連続しており、不揮発性メモリセルのドレイン/ソース領域は、ソース・ドレイン方向に隣接する不揮発性メモリセルのソース/ドレイン領域と共通領域であり、一方、不揮発性メモリセルのソース/ドレイン領域は、ソース・ドレイン方向に隣接する他の不揮発性メモリセルのドレイン/ソース領域と共通領域であり、各不揮発性メモリセルの第1の導電ゲートは、ソース・ドレイン方向に電気的に接続されており、各不揮発性メモリセルの第2の導電ゲートは、ソース・ドレイン方向に交差する方向に電気的に接続されていることを特徴とする不揮発性メモリセルアレイ。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体記憶装置およびその駆動法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-127746 出願人：ローム株式会社
特開平3-222481
特開昭60-189972

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