特許
J-GLOBAL ID：200903012077616717
半導体ウェハ及びこれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
前田 実
, 山形 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-337061
公開番号（公開出願番号）：特開2005-108943
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 剥離面がナノオーダーの平坦性を持つ半導体エピタキシャルフィルムを得る条件を備えた半導体ウェハ及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェハ100は、GaAs基板101及びバッファ層102と、この上に形成された剥離層103と、この上に形成された半導体エピタキシャル層104とを有し、剥離層103の厚さを10nm以上200nm未満にしたものである。また、半導体装置の製造方法は、前記半導体ウェハを用意する工程と、エッチングマスクにより、半導体エピタキシャル層をパターニングし、エッチング溝を形成する工程と、剥離層をエッチングし、半導体エピタキシャル層を剥離することによって得られた半導体エピタキシャルフィルムを基板上にボンディングする工程とを有するものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成された剥離層と、
前記剥離層上に形成された半導体エピタキシャル層とを有し、
前記剥離層の厚さが10nm以上200nm未満であることを特徴とする半導体ウェハ。
IPC (3件)：
H01L33/00
, H01L21/205
, H01L21/306
H01L33/00 A
, H01L21/205
, H01L21/306 C
5F041AA31
, 5F041CA04
, 5F041CA36
, 5F043AA14
, 5F043AA15
, 5F043AA16
, 5F043AA37
, 5F043BB07
, 5F043BB08
, 5F043BB10
, 5F043FF10
, 5F043GG01
, 5F045AB09
, 5F045AB10
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AB31
, 5F045AF04
, 5F045CA10
, 5F045CB02
, 5F045DA53
出願人引用 (1件)
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コナガイ・マコト他、ジャーナル・オブ・クリスタル・グロウス45(1978)、第277-280頁、「ハイ イフィシェンシィ GaAs スィン フィルム ソーラー セルズ バイ ピールド フィルム テクノロジー(Makoto Konagai et al., Journal of Crystal Growth 45(1978)pp.277-280“High Efficiency GaAs Thin Film Solar Cells by Peeled Film Technology”)
審査官引用 (8件)
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