特許
J-GLOBAL ID：200903045033247442

裏面照射型撮像素子及びその製造方法

発明者：
宇家 眞司

宇家 眞司 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (2件)： 高松 猛 ,  矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-157460
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311413
出願日： 2007年06月14日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】光入射側にパッド開口を設けながらも、製造コストの増大及びパッド配線間の抵抗の増加を防ぐことが可能な裏面照射型撮像素子を提供する。【解決手段】シリコン基板4の裏面側から光を照射し、前記光に応じてシリコン基板4内で発生した電荷を、シリコン基板4の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子100であって、シリコン基板4の裏面上に形成されたパッド部17と、シリコン基板4内に形成され、シリコン基板4の表面上に形成された配線部12とパッド部17とを電気的に接続するための複数の導電性材料の柱9とを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板の裏面側から光を照射し、前記光に応じて前記半導体基板内で発生した電荷を、前記半導体基板の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子であって、 前記半導体基板の裏面上に形成されたパッド部と、 前記半導体基板内に形成され、前記半導体基板の表面上に形成された配線部と前記パッド部とを電気的に接続するための複数のコンタクト配線部とを備える裏面照射型撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/148
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H01L27/14 B
Fターム (14件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA25 ,  4M118GA02 ,  4M118GB11 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118HA30
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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