特許
J-GLOBAL ID：200903045041739702
半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-247978
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222815
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：
【要約】【課題】 結晶品質の良好な電流ブロック層を備えた電流リークの少ない半導体レーザ装置を安定に、再現性良く製造する。【解決手段】 リッジ部形成のためのエッチングにより露出したp型Al0.7 Ga0.3 Asエッチングストッパ層5の表面に、n型GaAs緩衝層8,及びn型Al0.7 Ga0.3 As電流ブロック層9を順に成長させる。【効果】 上記エッチングストッパ層5上にAlGaAsではなくGaAsからなる緩衝層8を成長させているため、この緩衝層の転位等の結晶欠陥を低減できる。従って、GaAs緩衝層8上に成長させたAl0.7 Ga0.3 As電流ブロック層9の結晶欠陥も低減され、電流リークが抑制される。これにより、しきい電流の低い高効率な半導体レーザ装置を歩留まり良く製造することができる。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体からなる下クラッド層上に、活性層、及び上記第1導電型と逆の第2の導電型の半導体からなる上クラッド層を順次形成する工程と、上記上クラッド層の電流を流す部分以外の部分を所定の深さだけエッチングにより除去して、残された上クラッド層からストライプ状のリッジ部を形成する工程と、上記上クラッド層の上記エッチングにより除去され新たに露出した表面に、そのAl組成比xが0ないし0.3のAlx Ga1-x Asを成長させて緩衝層を、つづいてこの緩衝層上に、そのAl組成比yが0.5以上の第1導電型のAlyGa1-y Asを上記上クラッド層の上記エッチングにより除去された部分を埋め込むように成長させて電流ブロック層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18
, H01L 21/306 U
