特許
J-GLOBAL ID：200903045065038136
半導体記憶装置及びその読出方法、並びに電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山崎 宏
, 前田 厚司
, 仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-284206
公開番号（公開出願番号）：特開2007-095187
出願日： 2005年09月29日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】不揮発性メモリアレイにおいて信頼性の高い読み出し動作を行う。【解決手段】各メモリセルは、互いに逆向きの第1及び第2の電流経路を使って読み出されるべき一対の記憶部を有する。各メモリセルを流れる電流は、各電流経路でそれぞれ、メモリセルの記憶状態「00」「01」「10」「11」に応じて図中に示す分布93〜96を示す。分布93と分布95との間に第1のリファレンス電流レベル91を定め、分布94と分布96との間に第2のリファレンス電流レベル92を定める。第1、第2の電流経路で、メモリセルに流れる電流とリファレンス電流レベル91,92とを比較するとともに、メモリセルに流れる電流に応じた電荷をそれぞれ第1、第2の蓄積部に蓄える。第1の蓄積部に蓄えた電荷量と第2の蓄積部に蓄えた電荷量とを比較する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
互いに独立した情報を記憶し得る一対の記憶部を有する複数のメモリセルの上記一対の記憶部の記憶状態を互いに逆向きの第1及び第2の電流経路を使って読み出す半導体記憶装置の読出方法であって、
上記各メモリセルを流れる電流は、上記各電流経路でそれぞれ、両方の記憶部がプログラム状態であるとき最小値をとり、上記電流の向きに応じた一方の記憶部がプログラム状態で他方の記憶部が消去状態であるとき上記最小値よりも大きい第1中間値をとり、上記一方の記憶部が消去状態で上記他方の記憶部がプログラム状態であるとき上記第1中間値よりも大きい第2中間値をとり、上記両方の記憶部が消去状態であるとき上記第2中間値よりも大きい最大値をとるようになっており、
上記複数のメモリセルに関して共通に、上記最小値よりも大きくかつ上記第2中間値よりも小さい第1のリファレンス電流レベルと、上記第1中間値よりも大きくかつ上記最大値よりも小さい第2のリファレンス電流レベルとを定め、
上記第1の電流経路を設定して、上記メモリセルに流れる電流と上記第1、第2のリファレンス電流レベルとをそれぞれ比較するとともに、上記メモリセルに流れる電流に応じた電荷を第1の蓄積部に蓄え、
上記第2の電流経路を設定して、上記メモリセルに流れる電流と上記第1、第2のリファレンス電流レベルとをそれぞれ比較するとともに、上記メモリセルに流れる電流に応じた電荷を第2の蓄積部に蓄え、
上記第1の蓄積部に蓄えた電荷量と上記第2の蓄積部に蓄えた電荷量とを比較することを特徴とする半導体記憶装置の読出方法。
IPC (3件)：
G11C 16/06
, G11C 16/02
, G11C 16/04
G11C17/00 634E
, G11C17/00 641
, G11C17/00 621Z
, G11C17/00 622C
5B125BA04
, 5B125BA08
, 5B125BA19
, 5B125CA14
, 5B125DA09
, 5B125EA04
, 5B125EB01
, 5B125EB02
, 5B125EE02
, 5B125EE05
, 5B125EE09
, 5B125EJ02
, 5B125EK01
, 5B125EK02
, 5B125FA05
, 5B125FA10
