特許
J-GLOBAL ID：200903018175491874
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小笠原 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-111350
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294102
出願日： 2005年04月07日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】 信頼性が高く、低電圧動作と高速化とを図ることができ、併せて製造の際の歩留まりが高い半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 データを書込み及び消去可能で、電圧が供給されない間も当該データを保持可能な不揮発性の半導体記憶装置であって、データに対応する静電荷をそれぞれ蓄えることが可能な複数の電荷局在部を含むメモリセルを複数備え、電荷局在部の内のいずれか2つが相補的な状態で電荷を蓄える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
データを書込み及び消去可能で、電圧が供給されない間も当該データを保持可能な不揮発性の半導体記憶装置であって、
前記データに対応する静電荷をそれぞれ蓄えることが可能な複数の電荷局在部を含むメモリセルを複数備え、
前記電荷局在部の内のいずれか2つが相補的な状態で電荷を蓄える、半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5B125BA02
, 5B125BA19
, 5B125CA01
, 5B125CA03
, 5B125DB08
, 5B125DC08
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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