無電解堆積のエンドポイントを検出するための装置および方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：長谷川芳樹 , 山田行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-527044
公開番号（公開出願番号）：特表2007-505995
出願日： 2004年09月17日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

基板の表面に向けて電磁放射を方向付けて、該基板の該表面上の部材から反射された該電磁放射の強度の変化を1つ以上の波長で検出することによって無電解堆積プロセスをコントロールするための装置および方法。一実施形態において、該基板が検出機構に対して移動されると、無電解堆積プロセスステップの検出された終了が測定される。別の実施形態において、多数の検出ポイントが、該基板の該表面にわたる該堆積プロセスの状態を監視するために使用される。一実施形態において、該検出機構は該基板上で無電解堆積流体に浸される。一実施形態において、コントローラは、記憶されたプロセス値、異なる時間に収集されたデータの比較、および種々の算出された時間依存データを使用して無電解堆積プロセスを監視、記憶および/またはコントロールするために使用される。【選択図】図2A

請求項（抜粋）：

無電解堆積プロセスを監視するための装置であって、チャンバと、基板受け取り表面を有する、前記チャンバに配置された基板サポートと、前記基板受け取り表面に向けられた電磁放射源と、無電解堆積プロセス中に前記基板受け取り表面に搭載された基板の表面から反射された電磁放射の強度を検出する検出器と、前記検出器からの信号を受け取り、かつ前記無電解堆積プロセスをコントロールするように適合されたコントローラと、を備える装置。

IPC (3件)：

C23C 18/16 , H01L 21/288 , H01L 21/320

FI (3件)：

C23C18/16 B , H01L21/288 E , H01L21/88 B

Fターム (57件)：

4K022AA02 , 4K022AA05 , 4K022AA37 , 4K022BA04 , 4K022BA06 , 4K022BA16 , 4K022BA21 , 4K022BA24 , 4K022BA31 , 4K022BA32 , 4K022DA01 , 4K022DB25 , 4M104AA01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD22 , 4M104DD53 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 4M104HH20 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH15 , 5F033HH16 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033XX00

引用特許：

審査官引用 (9件)

めっき終点検出方法およびめっき装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-357498 出願人：シャープ株式会社
スペクトル干渉法を用いる膜厚制御
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-392867 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体ウェハのプロセスモニタリング装置およびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-515284 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

全件表示

前のページに戻る