特許
J-GLOBAL ID：200903045091481080
気相成長装置および気相成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-004698
公開番号（公開出願番号）：特開2008-172083
出願日： 2007年01月12日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：
【課題】パーツの消耗を防ぎ、かつ材料ガスの消費効率に優れる気相成長装置および気相成長方法、を提供する。【解決手段】気相成長装置は、基板20が配置される反応室群18Xおよび反応室群18Yと、ガス供給部材30と、ガス流れ規制部材40とを備える。ガス供給部材30は、反応室群18X,18Yに通じ、互いに異なる材料ガスが流通するガス流路31および32を形成する。ガス流れ規制部材40には、ガス供給口41および42が周方向に交互に形成されている。ガス供給口41は、反応室群18Xおよび18Yのいずれか一方とガス流路31とを連通させる。ガス供給口42は、反応室群18Xおよび18Yのいずれか他方とガス流路32とを連通させる。ガス流れ規制部材40および複数の反応室18の相対的な移動により、互いに連通するガス流路31,32と反応室群18X,18Yとの組み合わせが入れ替わる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板が配置され、周方向に並ぶ複数の反応室と、
前記複数の反応室に通じる複数のガス流路を形成し、前記複数の反応室の中心に設けられるガス供給部材と、
前記ガス供給部材の外周上に設けられ、前記複数のガス流路を閉塞する筒状のガス流れ規制部材とを備え、
前記複数の反応室は、第1反応室群および第2反応室群を含み、
前記複数のガス流路は、互いに異なる材料ガスが流通する第1ガス流路および第2ガス流路を含み、
前記ガス流れ規制部材には、前記第1反応室群および前記第2反応室群のいずれか一方と前記第1ガス流路とを連通させる第1ガス供給口と、前記第1反応室群および前記第2反応室群のいずれか他方と前記第2ガス流路とを連通させる第2ガス供給口とが、周方向に交互に形成され、
前記ガス流れ規制部材および前記複数の反応室は、相対的に移動可能に設けられ、
前記ガス流れ規制部材および前記複数の反応室の相対的な移動により、互いに連通するガス流路と反応室群との組み合わせが入れ替わる、気相成長装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (19件)：
5F045AA04
, 5F045AA14
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045BB08
, 5F045DA52
, 5F045DP15
, 5F045DP27
, 5F045DP28
, 5F045DQ14
, 5F045EB02
, 5F045EC01
, 5F045EC07
, 5F045EE19
, 5F045EE20
, 5F045EF01
, 5F045EF13
, 5F045EM10
