半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-304975
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205223
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】導波路から絶縁分離膜へ光が漏洩することを防止する。【解決手段】多結晶シリコン層3内に、端面が基板の表面に位置するように絶縁分離膜5a,5bが形成され、この絶縁分離膜で囲まれた島1la,1lbに発光ダイオードDとフォトトランジスタTrとが形成される。そしてこれらを光学的に結合する導波路21が、酸化シリコン膜20上、及び絶縁分離膜5a,5bの端面上に形成される。絶縁分離膜として、導波路21の屈折率より小さな屈折率を有する酸化シリコン膜6,8,10と、導波路21の屈折率と同じ屈折率を有する窒化シリコン層7,9とが交互に積層されて構成されている。そして窒化シリコン7,9の各膜厚を窒化シリコン膜7,9内における光の波長よりも小さく設定する。これにより光が導波路21から絶縁分離膜5a,5bへ漏洩することを防止できる。

請求項（抜粋）：

基板(1,3)と、前記基板内に形成されて、端面が前記基板の表面に位置する複数の絶縁分離膜(6〜10)と、前記基板における前記絶縁分離膜で囲まれた領域からなる複数の島と、前記島に形成され、光を発する発光素子と、前記発光素子が形成された島とは異なる島に形成され、前記発光素子の発した光を受光する受光素子と、前記基板上において、前記絶縁分離膜の端面以外の基板上に形成された表面絶縁膜(20)と、前記表面絶縁膜上および前記絶縁分離膜の端面上に形成され、所定の屈折率を有する材料からなり、前記発光素子と受光素子を光学的に結合する導波路(21)とを備え、前記複数の絶縁分離膜は、前記導波路を構成する前記材料の屈折率より小さな屈折率を有する第1の材料からなる第1の絶縁膜(6,8,10)と、前記導波路を構成する前記材料の屈折率と同じ若しくはそれより大きな屈折率を有する第2の材料からなり、同膜内における前記光の波長よりも小さい膜厚を有する第2の絶縁膜(7,9)と、が複数積層されて構成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 31/12 , H01L 21/762 , H01L 27/15 , H01L 31/10 , H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 31/12 B , H01L 27/15 D , H01L 33/00 L , H01L 21/76 D , H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-274475 出願人：日本電装株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-203825 出願人：日本電装株式会社
接着型誘電体分離半導体基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-063726 出願人：株式会社東芝

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