特許
J-GLOBAL ID：200903045231379940
半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
, 関 啓
, 杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-217874
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035967
出願日： 2005年07月27日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】半導体発光装置からの光取り出し効率を向上させられるようにする。 【解決手段】半導体発光装置は、活性層(発光層)3を含む第1の半導体層2及び第2の半導体層4が積層されてなる半導体積層体5と、該半導体積層体5の少なくとも一部の表面上に形成され、半導体積層体5の屈折率よりも小さい屈折率を有するシリコーン樹脂材からなる光取り出し層10とを有している。樹脂材は粒子を含み、該粒子の発光光に対する屈折率は樹脂材の発光光に対する屈折率よりも大きく、且つ、粒子の径は樹脂材内部における発光光の波長よりも小さい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
発光層と、
前記発光層の上に形成され、粒子を含む光取り出し層とを備え、
前記粒子の最大寸法は、前記光取り出し層内部における発光光の波長よりも小さいことを特徴とする発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA48
, 5F041CA57
, 5F041CA58
, 5F041CA77
, 5F041DA18
, 5F041DA43
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
