特許
J-GLOBAL ID：200903045348952101
絶縁ゲート型半導体素子の駆動回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-165548
公開番号（公開出願番号）：特開2007-336694
出願日： 2006年06月15日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
【課題】単一の直流電源を使用しながらも簡単な構成で、ターンオン時の逆バイアス電圧の印加を実現できる絶縁ゲート型半導体素子の駆動回路を提供する。【解決手段】ゲート電圧に応じて、グランドラインに接続されたエミッタと所定の電圧が供給されるコレクタとの間に流れる電流を制御する絶縁ゲート型半導体素子を駆動する駆動回路は、グランドラインGNDと直流電圧VDが供給される電圧ラインとの間に直列接続され、絶縁ゲート型半導体素子PTのゲート電圧を制御するためのトランジスタQ1,Q2と、ゲート電圧を直流電圧VDより低く維持するための電圧クランプ回路と、絶縁ゲート型半導体素子PTのゲートとトランジスタQ1,Q2の接続点との間に設けられ、絶縁ゲート型半導体素子PTのオン時に充電され、オフ時に逆バイアス電圧を発生するコンデンサC1などで構成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電圧に応じて、グランドラインに接続された第1端子と所定の電圧が供給される第2端子との間に流れる電流を制御する絶縁ゲート型半導体素子を駆動するための駆動回路であって、
グランドラインと直流電圧VDが供給される電圧ラインとの間に直列接続され、絶縁ゲート型半導体素子のゲート電圧を制御するための第1スイッチング素子および第2スイッチング素子と、
ゲート電圧を直流電圧VDより低く維持するための電圧クランプ回路と、
絶縁ゲート型半導体素子のゲートと第1および第2スイッチング素子の接続点との間に設けられ、絶縁ゲート型半導体素子のオン時に充電され、オフ時に逆バイアス電圧を発生するコンデンサと、を備えることを特徴とする絶縁ゲート型半導体素子の駆動回路。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5H740AA05
, 5H740BA11
, 5H740BA12
, 5H740BC02
, 5H740HH01
, 5H740JB02
