特許

J-GLOBAL ID：200903045447739444

半導体装置

発明者： 葛原 剛 ,  小邑 篤 ,  堅田 満孝 ,  成瀬 孝好
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-150431
公開番号（公開出願番号）：特開2008-135692
出願日： 2007年06月06日
公開日（公表日）： 2008年06月12日
要約：

【課題】製造工程の追加なく、パッド部や下層配線等のクラック、半導体素子の破壊を防止でき、かつ、配線の実効長を短くすることで、配線抵抗や寄生インダクタンスの引き下げが図れるようにする。【解決手段】最上配線兼電極層58がパワー素子となるLDMOS10が形成されたセル部の真上に配置され、セル部中の素子と電気的に接続される最上配線層とパッド構造の一部を構成する電極層とが最上配線兼電極層58にて兼用されるようにする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子(10、20、30)が形成された半導体基板(2)と、 前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜(51、54、57)と、 前記層間絶縁膜を介して、前記半導体素子と電気的に接続された複数の配線層(52、55、58)と、 前記複数の配線層のうち最上層となる配線層(58)と電気的に接続され、かつ、前記半導体素子を外部に電気的に接続するための接合金属材料(70)が接合されるパッド部(62)と、を有してなる半導体装置であって、 前記最上層となる配線層(58)は、前記パッド部(62)の下層に配置される電極層を兼用する最上配線兼電極層を構成しており、該最上配線兼電極層が前記パッド部よりもヤング率が大きな材料で構成されていると共に、該最上配線兼電極層のうちの前記電極層に相当する部分が前記半導体素子の直上に配置され、 前記最上配線兼電極層のうちの前記電極層と、該電極層よりもヤング率が小さな材料となる前記パッド部との2層を含む多層構造により、パッド構造が構成されており、 かつ、前記最上配線兼電極層は、該最上配線兼電極層の側壁面を覆うように構成された絶縁膜(60)にて囲まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/60

FI (6件)：

H01L21/88 T ,  H01L21/88 N ,  H01L21/88 S ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/06 321F ,  H01L21/60 301P

Fターム (78件)：

5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033LL01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033VV01 ,  5F033VV07 ,  5F033WW01 ,  5F033WW02 ,  5F033XX08 ,  5F033XX17 ,  5F033XX23 ,  5F044AA14 ,  5F044EE04 ,  5F044EE11 ,  5F048AA04 ,  5F048AA05 ,  5F048AA07 ,  5F048AC04 ,  5F048AC06 ,  5F048BA06 ,  5F048BA16 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BG07 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048CA03 ,  5F048CA04 ,  5F048CA07 ,  5F048CA17

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 能動回路上のパッドの金属化
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-547644   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
• 半導体集積回路素子およびその素子を組み込んだ半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-041774   出願人：株式会社日立製作所, アキタ電子株式会社
• 特許第3432284号公報
  
• パワー複合集積型半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-328123   出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (4件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-237029   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-316089   出願人：日本電気株式会社
• パワー複合集積型半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-328123   出願人：株式会社デンソー
• 半導体集積回路装置の製造方法およびマスクパターンの生成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-325426   出願人：株式会社ルネサステクノロジ