特許
J-GLOBAL ID：200903045448317756
省スペース型のエッジ構造を有する半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-202955
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103683
出願日： 2007年08月03日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：
【課題】最大遮断電圧でのエッジ領域の電界強度を低減する半導体素子を提供する。【解決手段】半導体基材100を備えた半導体素子であって、半導体基材は、第1の面101、第2の面102、内部領域105と、内部領域隣接したエッジ領域106と、内部領域およびエッジ領域にわたって延設され、且つ第1導電型の第1の半導体層103とを有しており、さらに、第1導電型に対して相補的な第2導電型であって、且つ第1の半導体層内の内部領域内に位置する少なくとも1つの能動素子ゾーン12と、エッジ領域内に位置するエッジ構造とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基材(100)を備えた半導体素子であって、
上記半導体基材(100)は、第1の面(101)と、第2の面(102)と、内部領域(105)と、該内部領域(105)の該半導体基材(100)側方側に隣接したエッジ領域(106)と、該内部領域および該エッジ領域にわたって延設されており、且つ第1導電型の基本ドーピングが施された第1の半導体層(103)とを有しており、
上記半導体素子は、さらに、
上記第1導電型に対して相補的な第2導電型であって、且つ上記第1の半導体層(103)内の上記内部領域(105)内に位置する少なくとも1つの能動素子ゾーン(12)と、
上記エッジ領域(106)内に位置するエッジ構造とを備えており、
上記エッジ構造は、上記第1の面(101)から半導体基材(100)内部へ向けて延設された少なくとも1つのトレンチ(25)と、該トレンチ内に位置するエッジ電極(23)と、該トレンチ内に位置し、且つエッジ電極(23)と半導体基材(100)との間に位置する絶縁層(24)と、該トレンチ(25)に隣接するとともに、少なくとも一部分が該トレンチ(25)の下方に配置され、且つ上記第2導電型である第1のエッジゾーン(21)とを有している、ことを特徴とする半導体素子。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L29/78 652N
, H01L29/78 653C
, H01L29/78 652J
