特許
J-GLOBAL ID：200903045505457047

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
岸村 眞治

岸村 眞治 について

, 
遠藤 政孝

遠藤 政孝 について

, 
笹子 勝

笹子 勝 について

, 
上田 充

上田 充 について

, 
飯森 弘和

飯森 弘和 について

, 
福原 敏明

福原 敏明 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-278203
公開番号（公開出願番号）：特開2005-126693
出願日： 2004年09月24日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】波長が300nm帯以下の露光光に対する透過性に優れると共に、基板密着性及び現像溶解性に優れるレジスト材料を提供する。【解決手段】特定の化学構造からなる第1のユニット及び特定の化学構造からなる第2のユニットを含み且つ重量平均分子量が1000以上であって且つ500,000以下である高分子化合物。第1のユニットは側鎖にスルホンアミド基を有しているため、親水性が高く、波長が300nm帯以下である露光光に対して透過率が高い性質を提供する。レジスト膜に当該高分子化合物を用いた場合、基板密着性が高くなると共に、該レジスト膜は膨潤性が無くて現像溶解性に優れレジストパターンの形状が良好。また、第2のユニットは側鎖にベンゼン環を有しており、これがドライエッチング耐性の向上に寄与する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
[化1]の一般式で表される第1のユニット及び[化2]の一般式で表される第2のユニットを含み且つ重量平均分子量が1,000以上であって且つ500,000以下であることを特徴とする高分子化合物。
IPC (4件)：
C08F212/14 ,  C08F228/02 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (4件)：
C08F212/14 ,  C08F228/02 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (38件)：
2H025AA04 ,  2H025AA14 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07Q ,  4J100AL26R ,  4J100AP01P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04R ,  4J100BA05P ,  4J100BA05Q ,  4J100BA05R ,  4J100BA06R ,  4J100BA27P ,  4J100BA28P ,  4J100BA58P ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BB18R ,  4J100BC09R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA36 ,  4J100DA39 ,  4J100DA62 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM