特許
J-GLOBAL ID:200903045517644373

基板処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 茂明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-334539
公開番号(公開出願番号):特開平11-330039
出願日: 1998年11月25日
公開日(公表日): 1999年11月30日
要約:
【要約】【課題】 乾燥用の処理ガスの消費を抑えつつウォーターマークの発生を防止することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】 洗浄処理後の純水が付着した基板に対向するように雰囲気遮断板を配置した状態で、基板に乾燥用の処理ガスを供給しつつ基板を回転させて乾燥する基板処理装置において、基板を短時間高速回転させた後に基板の回転速度を低速回転に変更する。また、少なくとも基板が低速回転している間、低速回転時に必要な量の処理ガスを基板に供給する。これにより、高速回転時においてウォーターマークが発生する前に大部分の純水が基板から取り除かれ、その後の低速回転時では処理ガスの供給により基板の表面への大気の巻き込みが防止されてウォーターマークの発生が妨げられる。その結果、処理ガスの消費量を低速回転時に必要な量に抑えつつウォーターマークの発生を防止することができる。
請求項(抜粋):
基板に付着した液を除去する基板処理装置であって、基板を保持する保持台と、前記保持台を回転させることにより保持される基板を回転させる回転駆動源と、前記保持台に保持される基板の一の主面に対向して配置される雰囲気遮断板と、前記一の主面に向けてガスを供給するガス供給手段と、前記保持台を回転させて基板に付着した液を飛散させた後に前記保持台の回転速度が減少するように前記回転駆動源を制御する回転制御手段と、少なくとも前記保持台を回転させて基板に付着した液を飛散させた後において、前記ガスを基板に供給するように前記ガス供給手段を制御するガス供給制御手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/304 651 ,  H01L 21/304 ,  F26B 3/10 ,  F26B 5/08
FI (4件):
H01L 21/304 651 B ,  H01L 21/304 651 L ,  F26B 3/10 ,  F26B 5/08
引用特許:
審査官引用 (6件)
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