特許
J-GLOBAL ID：200903045577065690
アニ-リングを用いたトレンチ型素子分離膜形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-089033
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340316
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ゲート酸化膜のトレンチに隣接した部分の厚みが他の部分に比べ薄膜化することが防止でき、これにより、ゲート酸化膜の特性の低下、特に降伏電圧の低下が防げる、アニーリングを用いたトレンチ型素子分離膜形成方法を提供する。【解決手段】 トレンチ46を複合膜48,50で埋め込み、該結果物を平坦化した後、ゲート酸化膜形成前にこの平坦化した結果物をアニーリングする。前記アニーリングにより、半導体基板40とパッド酸化膜42との間の界面の内、トレンチに接した界面に存在する汚染物質が取り除かれる。
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板に活性領域及びフィールド領域を設定する段階と、(b)前記半導体基板の上にフィールド領域の露出されるマスク層を形成する段階と、(c)前記マスク層を食刻マスクとして用い、前記フィールド領域にトレンチを形成する段階と、(d)前記半導体基板の上に前記トレンチを埋め込む絶縁膜を形成する段階と、(e)前記絶縁膜の形成された基板を第1アニーリングする段階と、(f)前記絶縁膜の全面を前記絶縁膜の下部の膜質が露出されるまで平坦化する段階と、(g)前記平坦化した結果物を第2アニーリングする段階とを含むことを特徴とするトレンチ型素子分離膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 L
, H01L 21/76 D
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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