タングステン複合膜の形成

発明者： , , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 鈴木康仁
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-532723
公開番号（公開出願番号）：特表2005-518088
出願日： 2002年07月16日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

基板上にタングステン(W)複合膜を堆積させる方法が提供される。タングステン(W)複合膜は、タングステン(W)核形成層上に形成されたタングステン(W)バルク層を含んでいる。タングステン核形成層は、基板上にタングステン含有前駆物質と還元ガスを交互に吸着させることによる周期的堆積プロセスを用いて形成することができる。タングステン含有前駆物質と還元ガスは反応して基板上にタングステン層を形成する。タングステンバルク層は、タングステン含有前駆物質を熱分解することによる化学気相成長(CVD)プロセスを用いて形成することができる。

請求項（抜粋）：

タングステン複合層を形成する方法であって、基板をプロセス環境へ導入するステップと、タングステン含有前駆物質を該プロセス環境に供給するステップと、該タングステン含有前駆物質を該基板上に吸着させるステップと、還元ガスを該プロセス環境に供給するステップと、該還元ガスを該基板上に吸着させるステップであって、該基板上にタングステン核形成膜が形成される、前記ステップと、所望の厚さの該タングステン核形成膜層が形成されるまで該供給ステップと吸着ステップを反復するステップと、タングステンバルク層を該核形成層上に形成するステップとを含む、前記方法。

IPC (5件)：

H01L21/285 , C23C16/14 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/28

FI (5件)：

H01L21/285 C , C23C16/14 , C23C16/44 A , C23C16/455 , H01L21/28 301R

Fターム (22件)：

4K030AA04 , 4K030AA05 , 4K030AA06 , 4K030AA07 , 4K030AA12 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA20 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 4K030LA15 , 4M104BB18 , 4M104DD21 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104HH13

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-163374 出願人：日本電気株式会社
化学気相成長による金属薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-182518 出願人：新日本製鐵株式会社
バリア膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-225711 出願人：日本真空技術株式会社

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