特許
J-GLOBAL ID：200903045836679317
除去速度の高い誘電体膜のためのCMP組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 小林 良博
, 出野 知
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-521753
公開番号（公開出願番号）：特表2009-545159
出願日： 2007年07月12日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：
本発明は、シリカと、酸化剤と、第四級アンモニウム化合物と、水とから本質的になる化学機械研磨用組成物を提供する。本発明は、基材を上記の研磨用組成物で化学機械研磨する方法をさらに提供する。この研磨用組成物は、誘電体膜を研磨するのに使用した場合に高い研磨速度を可能にする。
請求項（抜粋）：
(a)10nm〜40nmの平均一次粒子サイズを有するシリカと、
(b)過酸化水素、尿素過酸化水素、過炭酸塩、過酸化ベンゾイル、過酢酸、過酸化ナトリウム、ジ-tert-ブチルペルオキシド、一過硫酸塩、二過硫酸塩、硝酸塩、鉄(III)化合物、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される酸化剤と、
(c)構造式R1R2R3R4N+(式中、R1、R2、R3及びR4は独立してC2〜C6アルキル及びC7〜C12アリールアルキルからなる群より選択される)のカチオンを含む第四級アンモニウム化合物と、
(d)水と
から本質的になり、1〜5のpHを有する、化学機械研磨用組成物。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14
H01L21/304 622D
, H01L21/304 622X
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
3C058AA07
, 3C058CB03
, 3C058CB10
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
