特許
J-GLOBAL ID：200903045951598134

窒化物半導体発光素子とそれを含む光学装置

発明者：
津田 有三

津田 有三 について

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湯浅 貴之

湯浅 貴之 について

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伊藤 茂稔

伊藤 茂稔 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-203676
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026459
出願日： 2000年07月05日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 窒化物半導体発光素子は、複数の量子井戸層と複数の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する発光層106を含み、その量子井戸層はInGaNPからなり、障壁層は窒化物半導体層からなることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
複数の量子井戸層と複数の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する発光層を含み、前記量子井戸層はInGaNPからなり、前記障壁層は窒化物半導体からなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C
Fターム (30件)：
5F041AA03 ,  5F041AA14 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA54 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11 ,  5F041FF13 ,  5F041FF16 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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