半導体光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-008877
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217481
出願日： 2001年01月17日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】面発光レーザのような面型発光素子と広い波長帯域を有する面型受光素子を柔軟な組み合わせで集積化した半導体光装置を簡単な作製方法で歩留まり良く提供することである。【解決手段】半導体光装置では、基板101上に光吸収層を兼ねられる活性層105を挟んで2つの半導体多層膜ミラー103、107、111が積層されており、2つの半導体多層膜ミラーのうちの少なくとも一方の途中にAlを含んだスペーサ層109が挿入され、基板面内の一部の領域と他の領域において、このスペーサ層109の非酸化を含む酸化の態様が異なっている。このことで、反射率の波長依存が異なる2つの領域が形成され、それぞれの領域に共振器構造の面型発光素子または面型受光素子が形成されている。

請求項（抜粋）：

基板上に面型発光素子及び面型受光素子を備える半導体光装置であって、該面型発光素子は活性層、第1のスペーサ層及び半導体多層膜ミラーを備え、該面型受光素子は該活性層、第2のスペーサ層及び該半導体多層膜ミラーを備え、且つ該第1のスペーサ層と該第2のスペーサ層の酸化の態様を変えて、該面型発光素子と該面型受光素子の反射率を異ならせることを特徴とする半導体光装置。

IPC (4件)：

H01S 5/026 610 , H01L 31/10 , H01L 31/12 , H01S 5/183

FI (4件)：

H01S 5/026 610 , H01L 31/12 D , H01S 5/183 , H01L 31/10 A

Fターム (20件)：

5F049MA04 , 5F049MB07 , 5F049NA19 , 5F049NB01 , 5F049RA07 , 5F049SZ03 , 5F049SZ04 , 5F049WA01 , 5F073AA65 , 5F073AA74 , 5F073AB13 , 5F073AB17 , 5F073CA05 , 5F073DA27 , 5F073FA04 , 5F089AB03 , 5F089AB08 , 5F089AC05 , 5F089CA20 , 5F089DA05

引用特許：

審査官引用 (8件)

面入出力光電融合素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-090995 出願人：日本電気株式会社
面発光デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-314936 出願人：日本電気株式会社
受光発光集積素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-295035 出願人：日本電気株式会社

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