特許
J-GLOBAL ID：200903046105688909

2つの電気伝導性部材間に少なくとも1つのナノチューブを形成するための方法ならびにそのような方法を実施するための装置

発明者：
マルク・ドゥロネ

マルク・ドゥロネ について

, 
アンヌ・セニヨー

アンヌ・セニヨー について

, 
マリ-ノエル・スメリア

マリ-ノエル・スメリア について


出願人/特許権者：
コミツサリア タ レネルジー アトミーク

コミツサリア タ レネルジー アトミーク について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-373066
公開番号（公開出願番号）：特開2003-261313
出願日： 2002年12月24日
公開日（公表日）： 2003年09月16日
要約：
【要約】【課題】 高品質のナノチューブを制御性良く製造すること。【解決手段】 基板(8)上に配置された2つの電気伝導性部材の間にナノチューブを形成するための方法であって、成膜チャンバ(6)内においてマイクロ波パワーと磁界とを使用することによって電子サイクロトロン共鳴ゾーン(16)を形成し、成膜チャンバ(6)内へと注入される炭素含有ガスの電離および/または分解を引き起こす、という場合において、炭素含有ガスを低圧で導入し、電子サイクロトロン共鳴ゾーン(16)内において形成された様々な種の選別操作を行うことにより、生成されたCxHy°タイプの非凝集性フリーラジカルだけを、成膜ゾーン(24)に対してアクセス可能として、ナノチューブを形成する。
請求項（抜粋）：
基板(8)上に配置された2つの電気伝導性部材(4)の間に少なくとも1つのナノチューブ(2)を形成するための方法であって、成膜チャンバ(6)内においてマイクロ波パワーと磁界とを使用することによって少なくとも1つの電子サイクロトロン共鳴ゾーン(16)を形成し、前記成膜チャンバ(6)内へと注入される炭素含有ガスの電離および/または分解を引き起こす、という場合において、前記炭素含有ガスを、前記成膜チャンバ(6)内へと低圧で導入し、前記各電子サイクロトロン共鳴ゾーン(16)内において前記炭素含有ガスを電離および/または分解し、生成されたイオンと電子とを、前記成膜チャンバ(6)内に形成された磁界の磁気力線(26)に沿って配置し、さらに、前記各電子サイクロトロン共鳴ゾーン(16)内において形成された様々な種の選別操作を行うことにより、生成されたCxHy°タイプの非凝集性フリーラジカルだけを、前記基板(8)のうちの、前記2つの電気伝導性部材(4)を有した少なくとも一部分に隣接した成膜ゾーン(24)に対して、アクセス可能として、前記ナノチューブ(2)を形成することを特徴とする方法。
IPC (2件)：
C01B 31/02 101 ,  B81C 1/00
FI (2件)：
C01B 31/02 101 F ,  B81C 1/00
Fターム (12件)：
4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BC09 ,  4G146BC10 ,  4G146BC16 ,  4G146BC33B ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  4G146DA25 ,  4G146DA34
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM