特許
J-GLOBAL ID：200903060804710165

酸化膜の形成方法並びにその酸化膜を備えた半導体装置及びその製造方法

発明者：
小林 光

小林 光 について


出願人/特許権者：
国立大学法人大阪大学

国立大学法人大阪大学 について


代理人 (1件)： 河野 広明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-208133
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027453
出願日： 2005年07月19日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】 半導体基板表面の堆積酸化膜を、高品質、高性能に改質する方法を提供する。 【解決手段】 図1(a)に示すように、被処理用シリコン基板1に二酸化シリコン膜2を形成して、その被処理用シリコン基板1および該二酸化シリコン膜2を処理槽3内の共沸硝酸(沸点120.7°C、濃度68質量%)4などに約1時間浸漬、あるいは酸化性の蒸気への曝露処理をする。これにより、該被処理用シリコン基板1の表面に、通常の高温熱酸化法で形成した二酸化シリコン膜の特性と遜色のない二酸化シリコン膜が容易に形成できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
堆積酸化膜を形成した半導体を70°C以上の酸化性の溶液に浸漬処理する 酸化膜の形成方法。
IPC (7件)：
H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (7件)：
H01L21/316 P ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/04 C
Fターム (67件)：
5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038AC19 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF03 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BH01 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA12 ,  5F110AA17 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ13 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ24 ,  5F140AA40 ,  5F140AC23 ,  5F140AC36 ,  5F140AC39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA05 ,  5F140BA13 ,  5F140BD06 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140CB01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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