特許

J-GLOBAL ID：200903046280395981

圧電薄膜素子

発明者： 柴田 憲治 ,  岡 史人
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 沖川 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-306576
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200469
出願日： 2008年12月01日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：

【課題】ジャイロセンサなどに適用可能な性能を持つ、シリコン基板上にKNN薄膜を形成した圧電薄膜素子を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に下部電極2と、圧電薄膜3と、上部電極4とを有する圧電薄膜素子10において、圧電薄膜3が一般式(K1-xNax)NbO3(0<x<1)で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の薄膜で形成されると共に、圧電薄膜3の圧電定数d31の印加電界依存性を示す|圧電定数d31(印加電界70kV/cm時)-圧電定数d31(印加電界7kV/cm時)|/|圧電定数d31(印加電界70kV/cm時)|の値が0.20以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に下部電極と、圧電薄膜と、上部電極とを有する圧電薄膜素子において、前記圧電薄膜が一般式(K1-xNax)NbO3(0<x<1)で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の薄膜で形成されると共に、 前記圧電薄膜の圧電定数d31の印加電界依存性を示す|圧電定数d31(印加電界70kV/cm時)-圧電定数d31(印加電界7kV/cm時)|/|圧電定数d31(印加電界70kV/cm時)|の値が0.20以下であることを特徴とする圧電薄膜素子。

IPC (8件)：

H01L 41/08 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/09 ,  G01P 9/04 ,  H01L 21/316 ,  G01P 3/44

FI (10件)：

H01L41/08 Z ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/08 D ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/22 A ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 L ,  G01P9/04 ,  H01L21/316 Y ,  G01P3/44 Z

Fターム (9件)：

2F105BB02 ,  2F105BB13 ,  2F105BB14 ,  2F105CC06 ,  2F105CD02 ,  2F105CD06 ,  5F058BC03 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 圧電素子及びその製造方法、並びにその圧電素子を備えたインクジェットヘッド、インクジェット式記録装置及び角速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-127087   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (4件)

• 圧電薄膜素子及びそれを用いたアクチュエータ並びにセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-199975   出願人：日立電線株式会社
• 圧電薄膜素子及び圧電薄膜素子を用いて製造したアクチュエータとセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-346586   出願人：日立電線株式会社
• 圧電素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-321591   出願人：日立電線株式会社
• 圧電体積層体、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子および圧電アクチュエータ、ならびに圧電体積層体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-113493   出願人：セイコーエプソン株式会社