特許
J-GLOBAL ID：200903025857300120
圧電素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
沖川 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-321591
公開番号（公開出願番号）：特開2009-094449
出願日： 2007年12月13日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：
【課題】圧電定数d31の印加電圧依存性を抑制することができるSi基板を使用した圧電素子を提供する。【解決手段】本発明に係る圧電素子は、Si基板と、Si基板の上方に形成され、一般式が(K,Na)NbO3であるペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウムの圧電膜と、Si基板と圧電膜との間に形成され、圧電膜に圧縮方向の応力を生じさせる中間層とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Si基板と、
前記Si基板の上方に形成され、膜厚が0.3μm以上10μm以下であり、一般式が(K,Na)NbO3であるペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウムの圧電膜と、
前記Si基板と前記圧電膜との間に形成され、前記圧電膜に圧縮方向の応力を生じさせる中間層とを備える圧電素子。
IPC (5件)：
H01L 41/09
, H01L 41/187
, H01L 41/18
, H01L 41/22
, H02N 2/00
H01L41/08 C
, H01L41/18 101B
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 Z
, H02N2/00 B
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
全件表示
前のページに戻る
