特許
J-GLOBAL ID：200903046290531980
窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-129810
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330614
出願日： 1998年05月13日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【目的】 主として青色〜緑色領域のレーザ素子を実現すると共に、レーザ素子の高出力化を実現する。【構成】 n層とp層との間に、Inを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する活性層を備えた窒化物半導体素子において、n層、若しくはp層の少なくとも一方に、井戸層のIn量よりも少ないIn量の窒化物半導体層を有する超格子層を備える活性層を成長させることにより、超格子層の上に成長させる活性層、クラッド層の結晶性が良くなり長波長の素子を得ることができる。また、超格子はn層、p層両方に設け、超格子に不純物を変調ドープすることが望ましい。
請求項（抜粋）：
n型不純物を含む窒化物半導体層と、p型不純物を含む窒化物半導体層との間に、少なくともInを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する活性層を備えた窒化物半導体素子において、前記n型不純物を含む窒化物半導体層、若しくはp型不純物を含む窒化物半導体層の少なくとも一方には、井戸層のIn量よりも少ないIn量の窒化物半導体層を有する超格子層を備えることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (9件)
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窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-136095
出願人：日亜化学工業株式会社
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半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-031684
出願人：株式会社日立製作所
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特開平2-228087
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