特許
J-GLOBAL ID：200903046291236028

半導体装置およびその製造方法

発明者：
生田目 俊秀

生田目 俊秀 について

, 
門島 勝

門島 勝 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-065674
公開番号（公開出願番号）：特開2007-243009
出願日： 2006年03月10日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】ゲート絶縁膜に高誘電率膜を使用し、ゲート電極に金属を含む導体膜を使用するpチャネル型MISFETにおいて、生産性向上を図ることができる技術を提供することにある。そして、金属を含む導体膜の仕事関数値が酸化シリコン膜に接するとした場合にシリコンの価電子帯近傍の値から離れたものであっても、pチャネル型MISFETのしきい値電圧を下げることができる技術を提供する。【解決手段】半導体基板1上に形成されたpチャネル型MISFETQ1は、酸化ハフニウム膜よりなるゲート絶縁膜10を有し、このゲート絶縁膜10上に、酸化アルミニウム膜よりなる金属酸化物膜11を有する。そして、金属酸化物膜11上に窒化タンタル膜よりなるゲート電極12を有している。ここで、金属酸化物膜11は、ゲート電極12の仕事関数値をシフトする機能を有している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の第1領域上にpチャネル型MISFETを有し、前記半導体基板の第2領域上にnチャネル型MISFETを有する半導体装置であって、 前記pチャネル型MISFETは、 (a)前記半導体基板上に形成され、酸化シリコン膜よりも誘電率の高い高誘電率膜よりなるゲート絶縁膜と、 (b)前記ゲート絶縁膜上に形成された絶縁性を有し、かつ、ダイポールを生じる金属酸化物膜と、 (c)前記金属酸化物膜上に形成されたゲート電極とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (3件)：
H01L27/08 321D ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/58 G
Fターム (70件)：
4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB19 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB24 ,  4M104BB28 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB34 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104EE02 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BB16 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF07 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F140AA05 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF09 ,  5F140BF10 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG30 ,  5F140BG37 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CE07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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