特許
J-GLOBAL ID：200903046291561093

表示素子、その製造方法及び表示装置

発明者：
大見 忠弘

大見 忠弘 について

, 
寺本 章伸

寺本 章伸 について

, 
森本 明大

森本 明大 について


出願人/特許権者：
大見 忠弘

大見 忠弘 について


代理人 (1件)： 池田 憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-415644
公開番号（公開出願番号）：特開2005-174832
出願日： 2003年12月12日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】 10V以下の低駆動電圧で高輝度を有する表示素子、特に、有機EL素子を提供することである。【解決手段】 IZO膜にドープ材として、Hf、Zr、及び、Vの少なくとも一つをドープすることにより、低比抵抗で高透過率を備えたIZO膜を表面層として成膜することにより、低駆動電圧で高輝度の有機EL素子が得られる。この場合、ドープ材はIZO膜の表面層内に、離散的に、即ち、段階的にドープされても良いし、連続的に変化するようにドープされても良い。このような表面層を含むIZO膜を用いることにより、発光層との間に配置される中間層の構成を簡略化でき、大画面の有機EL素子を容易に製造することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透明導電性電極と当該透明導電性電極と対向する対向電極とを有する表示素子において、前記透明導電性電極は少なくとも表面層にHf、Zr、及びVの少なくとも1つを含む酸化亜鉛スズ(IZO)膜を含んでいることを特徴とする表示素子。
IPC (4件)：
H05B33/28 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14
FI (4件)：
H05B33/28 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (11件)：
3K007AB02 ,  3K007AB11 ,  3K007AB14 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB02 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  3K007GA00
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 表示素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-148353   出願人：大見忠弘, 陳宗欣
審査官引用 (6件)
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