特許
J-GLOBAL ID：200903083789068737

光電変換素子およびその製造方法

発明者：
谷口 健博

谷口 健博 について

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成井 啓修

成井 啓修 について

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植野 紀子

植野 紀子 について

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岡野 展賢

岡野 展賢 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-126527
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330604
出願日： 1998年05月08日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 容易かつ正確にコンタクト用電極の接続を確保することができる光電変換素子を提供する。【解決手段】 基板11に半導体層およびp側電極17を順次積層したレーザ発振部10を同一の基板11に複数形成する。各p側電極17には絶縁層20の各開口21を介して配設基板32に形成された各コンタクト用電極31がそれぞれ電気的に接続される。互いに隣り合う各レーザ発振部10に対応する各開口21は、配列方向Bにおいて隣り合わないように互い違いに形成される。各コンタクト用電極31は各開口21に対応して配列方向Bと平行に延長される。よって、配列方向Bにおいて隣り合う各開口21の間隔および各コンタクト用電極31の間隔S4 が広くなり、位置合わせに高い精度が必要なくなる。従って、各p側電極17と各コンタクト用電極31を容易かつ正確に接続できる。
請求項（抜粋）：
基板に設けられた半導体層に対して電極を有する光電変換部と、この光電変換部の電極と電気的に接続されたコンタクト用電極と、このコンタクト用電極と前記光電変換部の電極との間に形成され、それらを電気的に接続させるための開口が設けられた絶縁層とを備えたことを特徴とする光電変換素子。
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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