半導体装置とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高橋敬四郎 , 来山幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-168187
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014901
出願日： 2002年06月10日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】銅配線と有機絶縁樹脂層とを用い、かつ剥離の生じ難い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、多数の半導体素子を形成した半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成され、第1配線用凹部を有する第1層間絶縁膜と、前記第1配線用凹部に埋め込まれた第1銅配線と、前記第1銅配線、第1層間絶縁膜上に形成された銅拡散防止層、その上に形成された酸化膜、その上に形成された有機絶縁樹脂層を含み、第2配線用凹部を有する絶縁膜と、前記第2配線用凹部に埋め込まれた第2銅配線と、を有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

多数の半導体素子を形成した半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成され、第1配線用凹部を有する第1層間絶縁膜と、前記第1配線用凹部に埋め込まれた第1銅配線と、前記第1銅配線、第1層間絶縁膜上に形成された銅拡散防止層、その上に形成された酸化膜、その上に形成された有機絶縁樹脂層を含み、第2配線用凹部を有する第2層間絶縁膜と、前記第2配線用凹部に埋め込まれた第2銅配線と、を有する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/768 , H01L21/3205

FI (3件)：

H01L21/90 S , H01L21/88 R , H01L21/90 B

Fターム (57件)：

5F033HH04 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH25 , 5F033JJ01 , 5F033JJ04 , 5F033JJ05 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033LL04 , 5F033MM02 , 5F033MM07 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR14 , 5F033RR21 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033WW02 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX08 , 5F033XX12 , 5F033XX24 , 5F033XX27 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-230423 出願人：株式会社日立製作所
絶縁膜とその製造方法、および半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-024526 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-068607 出願人：株式会社日立製作所

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