特許
J-GLOBAL ID：200903046669651142

半導体光増幅器

発明者：
山田 敦史

山田 敦史 について


出願人/特許権者：
アンリツ株式会社

アンリツ株式会社 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-054623
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266095
出願日： 2003年02月28日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】半導体光増幅器における利得の偏波依存性を抑制する。【解決手段】半導体基板1と、この半導体基板の上方に形成された多重量子井戸(MQW)構造を含む活性層13とを備え、一方の端面17aから入射した光19が、光の伝搬方向に沿って形成された活性層13を含む光導波路を伝搬する過程で増幅されて、他方の端面17bから出射する半導体光増幅器において、多重量子井戸構造は複数組の井戸層14と障壁層15とを有し、井戸層又は障壁層は引張り歪を有し、かつ障壁層の厚みは4nm以下に設定されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)と、この半導体基板の上方に形成された多重量子井戸構造を含む活性層(13)とを備え、一方の端面(17a)から入射した光(19)が、光の伝搬方向に沿って形成された前記活性層(13)を含む光導波路を伝搬する過程で増幅されて、他方の端面(17b)から出射する半導体光増幅器において、 前記多重量子井戸構造は複数組の井戸層(14)と障壁層(15)とを有し、前記井戸層と障壁層のいずれか一方は引張り歪を有し、かつ前記障壁層の厚みは4nm以下に設定されていることを特徴とする半導体光増幅器。
IPC (1件)：
H01S5/50
FI (1件)：
H01S5/50 610
Fターム (8件)：
5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA03 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (8件)
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